第三代半导体具备高频、高效、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能,切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求,是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件,已成为全球半导体技术研究前沿和新的产业竞争焦点。当前第三代半导体产业迎来了高成长性的应用市场,也面临激烈的国际竞争,成为各地方政府及社会资本追逐的热点。
第三代半导体市场应用加速,打开发展新空间。随着碳化硅(Si C)、氮化镓(Ga N)等新材料陆续应用在二极管、金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)、高电子迁移率晶体管(HEMT)等器件上,新技术革命的序幕已经拉开。以Si C和Ga N为主的第三代半导体器件在电动汽车、电源、手机快充、无线电通信等领域正在快速渗透,并对原本由硅和砷化镓等材料器件主导的竞争格局产生重要影响,为未来众多产业发展打开了全新的应用可能性。
在政策和市场双重动力下,中国第三代半导体产业发展正当时。如今第三代半导体LED照明产业已在我国获得长足发展,并成为我国第三代半导体产业的首个突破口。目前我国已是全球最大的半导体照明生产、消费和出口国,处于半导体照明产业大国向强国转变的关键期。如今第三代半导体电力电力和射频应用面临重要窗口期,国际半导体产业和装备巨头还未形成专利、标准和规模的垄断,这有利于我国加速起跑并赶超。当前,全球半导体产业逐步向亚洲转移,我国发展半导体产业的决心和支持力度空前加大,加上5G、新能源汽车、AI等新兴产业带来的广阔市场空间,我国发展第三代半导体产业正当时。
属于第三代半导体材料的新时代正在开启。我国在第三代半导体光电子材料和器件领域与国际先进水平相比处于并跑状态,在市场需求和产业化水平方面处于领跑状态。但在电力电子半导体材料和器件、射频材料和器件方面与国际先进水平相比,尚处于跟跑状态。2017年,从国家到地方进一步加大对第三代半导体的关注力度,国内多条Si C和Ga N产线相继投入使用,各环节产品也进入送样验证和小批量生产阶段,量产和规模化应用正在形成。
